
Название журнала:
Выпуск:
1 c-3
Год:
2020
Страниц:
73
Язык:
русский
Формат:
pdf
Рубрика:
Читать в этом номере:
- Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Процессы с азотсодержащими предшественниками.
- Моделирование топологической неравномерности слоев, осаждаемых из газовой фазы на микрорельефную подложку.
- Концентрация напряжений в мезопористых структурах на основе кремния с адсорбированной водой в интервале температур 233-273 К.
- Электромагнитный анализ криптографических микросхем.
- Проблема выпуска качественных микросхем для отечественной микроэлектроники.
Оцени!
[Средний: 5]
Читать онлайн Электронная техника
Что почитать: